製造者製品番号:
TSM080N03EPQ56 RLG
Product Overview
製造者:
Taiwan Semiconductor Corporation
部品番号:
TSM080N03EPQ56 RLG-DG
説明:
MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
詳細な説明:
N-Channel 30 V 55A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
在庫:
4381 新規オリジナル在庫あり
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TSM080N03EPQ56 RLG 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Taiwan Semiconductor
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
55A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
54W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
基本品番
TSM080
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
TSM080N03EPQ56 RLGTR-DG
TSM080N03EPQ56RLGTR
TSM080N03EPQ56RLGCT
TSM080N03EPQ56 RLGCT
TSM080N03EPQ56 RLGDKR
TSM080N03EPQ56 RLGDKR-DG
TSM080N03EPQ56 RLGTR
TSM080N03EPQ56 RLGCT-DG
TSM080N03EPQ56RLGDKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
3 (168 Hours)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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